NT-CVD(G)系列真空高温管式炉专门设计用于高温CVD工艺,如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器(MLCC)气氛烧结等等。
窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温,国产优质硅钼棒加热,优质刚玉管炉膛, 系统可预抽真空,气体采用浮子流量计控制。
进口单回路智能温度控制仪控制,设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点,是理想的科研设备。
一、 技术指标:
设?备 型 号 | NT-CVD(G)-08/50/1 |
? 温区最高温度? | 1650℃;(最长恒温时间:≥10小时);常用温度:1600℃ (最长恒温时间:≥100小时)? |
加热有效容积 | Φ72(内经)×500mm;恒温区尺寸:Φ72(内经)×250mm? |
炉管实际尺寸 | Φ80(外径)×1400mm (国产优质刚玉管) |
炉 膛 材?料? | 氧化铝纤维制品 |
控制温区点数 | 1个,1支B分度热偶 |
设备温场温差 | ±1℃ ,日本岛电进口40段程序控制仪表(1只) |
加 热?元 件 | 优质硅钼棒 |
最大加热功率? | 12Kw |
保 温 功?率 | 5kw |
最大升温速率 | 3℃∽10℃/min; |
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